低温下硅中电荷输运的高场空间成像
材料科学
2020-03-03 v1
摘要
我们展示了在 5 K 与 500 mK 温度下，对尺寸为 1 cm x 1 cm x 4 mm 的高纯硅（15 k-cm）晶体中电荷输运的直接成像测量。我们利用这些数据测量了沿 [111] 晶轴施加电场时电子与空穴的横向扩散，并验证了我们的低温蒙特卡洛软件。本文的场强范围较先前研究（DOI: 10.1063/1.5049691）超出 10 倍，现已涵盖近期某些硅暗物质探测器的工作区域（DOI: 10.1103/PhysRevLett.121.051301）。我们还报道了一种可降低预期电荷收集的表面电荷俘获现象。
引用
@article{arxiv.1910.02169,
title = {High-field Spatial Imaging of Charge Transport in Silicon at Low Temperature},
author = {C. Stanford and R. A. Moffatt and N. A. Kurinsky and P. L. Brink and B. Cabrera and M. Cherry and F. Insulla and M. Kelsey and F. Ponce and K. Sundqvist and S. Yellin and B. A. Young},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.02169},
year = {2020}
}