低温下硅中电荷输运的空间成像

我们给出在 500 mK 至 5 K 温度间，对尺寸为 1 cm$\times$ 1 cm$\times$ 4 mm 的高纯硅（$\sim$20 k$\Omega$cm）晶体中电荷输运的直接成像测量。我们利用这些数据确定电子的谷间散射率随沿 $\langle 111 \rangle$ 晶轴所加电场的函数关系，并给出解释低温低电压下所见恒定散射率的谷间散射唯象模型。我们还展示有效空穴质量各向异性的直接成像测量，其强烈依赖于温度和电场强度。观测效应可由硅中靠近自旋轨道分裂能的载流子能量处价带翘曲来解释。