低密度硅 Inversion 层受带电杂质散射限制的低温电阻率
无序系统与神经网络
2009-10-31 v3
摘要
我们在 Boltzmann 方程方法中计算了低密度 n 型硅 Inversion 层中受带电杂质散射限制的低温电子电阻率。我们发现，在 0-5 K 温度范围内，运输行为中出现相当尖锐的量子到经典的临界，低密度、低温迁移率表现出显著的非单调温度依赖，这可能定性地解释近期观察到的低密度、高迁移率 MOSFET 中的异常强烈温度依赖电阻率。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9812216,
title = {Charged impurity scattering limited low temperature resistivity of low density silicon inversion layers},
author = {S. Das Sarma and E. H. Hwang},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9812216},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 2 figures, will appear in PRL (12 July, 1999)