硅(111)表面二维电子系统的输运性质
材料科学
2009-11-11 v1 强关联电子
摘要
我们理论研究了场效应晶体管(FET)结构中氢钝化Si(111)表面上二维电子系统的输运性质。我们利用包含屏蔽带电杂质散射的半经典玻尔兹曼理论，计算了最近制备的Si(111)-真空FET的密度和温度相关的迁移率及电阻率。我们发现与相应的实验输运性质合理吻合，表明随机带电杂质产生的屏蔽无序势是主要的散射机制。我们还发现，谷简并度的理论结果比的情况与实验吻合得更好，表明该系统中硅通常的体六重谷简并被解除。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0608645,
title = {Transport properties of two-dimensional electron systems on silicon (111) surfaces},
author = {E. H. Hwang and S. Das Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0608645},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 2 figures