多层InSe FET中超过1000 cm$^2$/Vs的本征电子迁移率
介观与纳米尺度物理
2015-12-29 v3
摘要
类石墨烯二维(2D)材料不仅因其奇异的电子结构和基本电输运或光学性质而引人关注，而且有望实现原子厚度的器件微型化。作为此类材料之一，InSe不仅是光电器件的有前途候选者，还具有用于高迁移率输运的超薄场效应晶体管(FET)的潜力。本工作中，使用各种衬底如PMMA、裸氧化硅、钝化氧化硅和氮化硅来制备多层InSe FET器件。通过背栅和四探针构型的霍尔测量，在不同温度下提取了器件的场效应迁移率和本征霍尔迁移率，以研究材料的本征输运行为和介电衬底的影响。样品的场效应和霍尔迁移率在77-300K范围内处于0.1-2.010 cm/Vs，与最先进的二维过渡金属硫族化物FET相当或更好。
引用
@article{arxiv.1502.01615,
title = {Intrinsic electron mobility exceeding 1000 cm$^2$/Vs in multilayer InSe FETs},
author = {Sukrit Sucharitakul and Nicholas J. Goble and U. Rajesh Kumar and Raman Sankar and Zachary A. Bogorad and Fang Cheng Chou and Yit-Tsong Chen and Xuan P. A. Gao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.01615},
year = {2015}
}
备注
Nano Letters, in press