区域规整聚噻吩中的本征空穴迁移率与陷阱效应
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
我们报道了采用区域规整聚噻吩半导体(PQT-12)制成的高性能薄膜晶体管(TFT)的输运特性。器件的室温场效应迁移率在0.004 cm²/V s至0.1 cm²/V s之间变化，并通过改变材料结构有序度的热处理工艺进行控制。我们研究了TFT输运特性随温度的变化关系。在所有薄膜中，当T<200 K时，场效应迁移率呈热激活行为，且激活能取决于沟道中的电荷密度。我们将实验数据与理论输运模型进行了比较，并认为基于迁移率边和指数分布陷阱的模型能最好地解释这些数据。室温迁移率的差异归因于薄膜中结构无序导致的价带边缘浅局域态分布宽度的不同。在所有结构改性的薄膜中，有序区域内的可移动态自由载流子迁移率相同，估计在1至4 cm²/V s之间。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0407502,
title = {Intrinsic hole mobility and trapping in a regio-regular poly(thiophene)},
author = {A. Salleo and T. W. Chen and A. R. Voelkel and Y. Wu and P. Liu and B. S. Ong and R. A. Street},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0407502},
year = {2009}
}
备注
20 pages, 8 figures