化学合成聚吡咯薄膜的输运性质
无序系统与神经网络
2009-11-13 v1 材料科学
摘要
研究了气相化学合成的聚吡咯薄膜中电子输运随温度以及电场和磁场的变化关系。我们发现其与电化学生长制备的聚吡咯薄膜以及传统化学合成获得的块体薄膜的行为存在显著差异。对于小电场 F，在 30 K 时观察到从 Efros-Shklovskii 变程跃迁到 Arrhenius 激活输运的转变。高电场诱导短程跃迁。特征跃迁距离被发现与 F^(-1/2) 成正比。磁电阻 R(B) 在临界磁场以下与 F 无关，而在该临界磁场以上，F 会抵消磁场诱导的局域化效应。
引用
@article{arxiv.0707.2711,
title = {Transport properties of chemically synthesized polypyrrole thin films},
author = {C. C. Bof Bufon and T. Heinzel},
journal= {arXiv preprint arXiv:0707.2711},
year = {2009}
}
备注
6 pages, 5 figures