掺镧钛酸锶中本征迁移率的限制机制
介观与纳米尺度物理
2015-06-19 v1
摘要
本文分析并模拟了掺镧 SrTiO3 薄膜中随温度变化的霍尔迁移率数据，考虑了各种电子散射机制。我们发现，必须引入约 6 meV 的横向光学声子 (TO) 形变势散射机制，才能解释 10-200 K 温度范围内输运性质对温度的依赖性。此外，我们发现本征（名义上未掺杂）SrTiO3 中的低温电子迁移率受声学声子散射限制。将上述两种散射机制与纵向光学声子 (LO) 和电离杂质散射机制相结合，在整个温度范围 (2-300 K) 以及跨越几个数量级的载流子浓度范围 (8x10^17 cm^-3 - 2x10^20 cm^-3) 内，迁移率测量值与模型之间取得了极好的定量一致性。
引用
@article{arxiv.1405.2967,
title = {Intrinsic Mobility Limiting Mechanisms in Lanthanum-doped Strontium Titanate},
author = {Amit Verma and Adam P. Kajdos and Tyler A. Cain and Susanne Stemmer and Debdeep Jena},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.2967},
year = {2015}
}
备注
Accepted for publication in Physical Review Letters