少层 Mo$_x$W$_{1-x}$S$_2$ 中的电子迁移率
介观与纳米尺度物理
2015-09-15 v1
摘要
本文理论研究了受各种散射机制限制的少层 MoWS 中的电子迁移率。基于费米黄金规则的玻恩近似，估算了对应于极性纵向光学 (LO) 声子、合金和背景杂质散射机制的室温能量依赖散射时间。分析了单个散射率对二维电子密度以及 MoWS 中合金组分的依赖关系。虽然杂质散射限制了低载流子密度 (<2x10 cm) 下的迁移率，但 LO 极性声子散射是高电子密度下的主导机制。研究发现，在 MoWS 中，当 0.5 < x < 0.7 时，合金散射起着不可忽视的作用。LO 声子限制和杂质限制的迁移率随合金摩尔分数显示出相反的趋势。本文提出的对 MoWS 中电子迁移率的理解，有望辅助基于 MoS 和 WS 合金的异质结构和器件的设计与实现。
引用
@article{arxiv.1504.03593,
title = {Electron mobility in few-layer MoxW1-xS2},
author = {Hareesh Chandrasekar and Digbijoy Neelim Nath},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.03593},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 4 figures