高介电常数掺杂半导体中的低温电子迁移率
介观与纳米尺度物理
2022-09-26 v2
摘要
我们提出并从理论上研究了一种在大介电常数掺杂半导体中电子-杂质散射的新机制。其基于如下思想：任何在非对称位于晶胞中的点缺陷所引起的晶格畸变具有矢量特征。结果，由弹性畸变导致的局域晶格压缩随距杂质距离以 衰减。电子在此类缺陷上的散射（源于标准形变势）导致低温迁移率 随电子密度 的标度关系为 ，这与若干相关材料的实验观测相近。
引用
@article{arxiv.2209.04545,
title = {Low-temperature electron mobility in doped semiconductors with high dielectric constant},
author = {Khachatur G. Nazaryan and Mikhail Feigel'man},
journal= {arXiv preprint arXiv:2209.04545},
year = {2022}
}
备注
6 pages, 4 figures