由极化子杂质散射主导的半导体中电子输运的精确解

具有内部自由度的杂质上的电子散射必然产生散射体自身动力学的特征，并导致非平凡的输运性质。先前对低维结构（如分子结和一维纳米线模型）中极化子杂质的研究表明，微扰处理无法解释此类系统中散射截面的复杂能量依赖。本文推导了体（三维）系统中由极化子杂质塑造电子输运的精确解。在短程电子-声子相互作用模型中，我们求解并求和了所有弹性与非弹性分波截面，其富含共振特征。电荷迁移率的温度依赖呈幂律关系，$\mu(T)\propto T^{-\nu}$，其中 $\nu$ 对杂质参数高度敏感。后者可解释实验中观察到的非普适幂律指数，例如在高品质有机分子半导体中。