半导体中电离杂质对电子的散射：关于第三体排除的量子力学方法
综合物理
2014-03-07 v1 材料科学
摘要
针对半导体中电子输运和散射过程的数值模拟，提出了一种描述电离杂质对电子散射的高效模型。以 77 K 和 300 K 下的 GaAs 以及 300 K 下的 Si 为例，在所提模型框架以及最常用的应用模型（如 Conwel-Weisskopf 模型和 Brooks-Herring 模型）框架下，计算了低场电子迁移率随半导体中施主杂质浓度的依赖关系。通过将计算结果与已知的实验数据进行比较，确定应用所提模型时理论与实验之间达到了最佳吻合。
引用
@article{arxiv.1403.1487,
title = {Scattering of electrons by ionized impurities in semiconductors: quantum-mechanical approach to third body exclusion},
author = {Dmitry Pozdnyakov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.1487},
year = {2014}
}
备注
19 pages, 5 figures