中性杂质和带电杂质对能带载流子的散射
材料科学
2010-11-19 v1
摘要
本文一般性地考虑了被部分电离、部分中性的施主散射的能带载流子的迁移率，并对属于AIII-BV族的晶体进行了计算。对于中性杂质，我们构建了类氢模型。结果表明，迁移率对温度的依赖性由电离施主与中性施主的数量之比以及电子的平均能量决定。
引用
@article{arxiv.1011.4203,
title = {Scattering of band carriers by neutral and charged impurities},
author = {l. I. Bolko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.4203},
year = {2010}
}
备注
10 pages, 6 figures