氢终止金刚石场效应晶体管中的载流子迁移率
介观与纳米尺度物理
2020-05-19 v2
摘要
金刚石场效应晶体管（FETs）在功率电子与高输出高频放大中具有潜在应用。在此类应用中，高载流子迁移率对于降低损耗与高速工作是可取的。我们近期制备了具有六方氮化硼栅介质的金刚石FETs，并观测到高于300 cmVs的高迁移率。本研究中，我们通过理论计算考察了何种散射机制限制了我们FETs的迁移率。我们的计算揭示，主导的载流子散射由面密度为1 cm的表面带电杂质引起，并提示通过减少杂质有可能使迁移率提升至超过1000 cmVs。
引用
@article{arxiv.2001.11831,
title = {Charge-carrier mobility in hydrogen-terminated diamond field-effect transistors},
author = {Yosuke Sasama and Taisuke Kageura and Katsuyoshi Komatsu and Satoshi Moriyama and Jun-ichi Inoue and Masataka Imura and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Takashi Uchihashi and Yamaguchi Takahide},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.11831},
year = {2020}
}
备注
17 pages, 6 figures