有限载流子密度下半导性碳纳米管的迁移率
材料科学
2015-06-25 v1
摘要
碳纳米管场效应晶体管在由栅极电压控制的宽电子或空穴密度范围内工作。这里我们计算了半导性纳米管中作为载流子密度和电场函数的迁移率，针对不同的管径和温度。低场迁移率是载流子密度的非单调函数，在室温下变化幅度可达4倍。在低密度下，随着电场增加，漂移速度达到最大值，然后由于能带的非抛物线特性，表现出负微分迁移率。在临界密度ρ_c ~ 0.35-0.5 电子/纳米时，漂移速度饱和在费米速度的三分之一左右。高于ρ_c时，速度随场强增加而增加，没有明显的饱和。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0510638,
title = {Mobility in semiconducting carbon nanotubes at finite carrier density},
author = {Vasili Perebeinos and J. Tersoff and Phaedon Avouris},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0510638},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures