半导体碳纳米管的高场载流能力
材料科学
2008-06-09 v2
摘要
研究表明，若载流子密度高于由带隙和 LO 声子能量决定的临界值，半导体碳纳米管中的电流饱和现象与金属纳米管无法区分。这一特征源于半导体管在带边处存在 van-Hove 奇点，从而拥有更多数量的载流态。在此临界载流子密度以上，发现高场下的系综饱和速度与带隙无关，但强烈依赖于载流子密度，这解释了最近的观测结果。
引用
@article{arxiv.0804.3997,
title = {High-field Current-carrying Capacity of Semiconducting Carbon Nanotubes},
author = {Debdeep Jena},
journal= {arXiv preprint arXiv:0804.3997},
year = {2008}
}
备注
5 pages, 5 figures