半导体型碳纳米管网络中的电荷输运

半导体型单壁碳纳米管网络中的高效且可控的电荷输运是其在电子器件中应用的基础，特别是在场效应晶体管和热电材料中。近期在半导体型甚至单手性碳纳米管的选择性生长、纯化和分选方面的进展，使得具有高通量迁移率和开关电流比的场效应晶体管成为可能，而这在几年前是无法实现的。这些进展还使研究人员能够以合理且可重复的方式，考察纳米管长度、密度、直径分布、载流子密度、有意和无意缺陷、介电环境等参数的微观相互作用及其对宏观电荷输运性质的影响。本综述讨论了用于纳米管网络中电荷输运的各种模型，以及用于表征和研究超越简单电导或晶体管测量的输运的实验方法。将介绍静态和动态吸收、光致发光和电致发光光谱，以及扫描探针技术（例如导电原子力显微镜、开尔文探针力显微镜），及其对给定纳米管网络中载流子分布和由此产生的电流路径的独特见解。最后，提供了对纳米管网络器件进一步优化的建议以及剩余挑战的清单。