单壁碳纳米管中的电荷输运与隧穿
材料科学
2009-11-13 v2
摘要
我们在广泛的温度和外加电流变量区间内，实验研究了单壁碳纳米管束的输运性质。分析是在纳米管束阵列上进行的，其轴线沿外部施加偏置电流的方向排列。发现数据与电荷输运模型一致，该模型由通过纳米管接触区域或束表面产生的势垒发生的金属区域之间的隧穿所主导。基于该模型和实验数据，我们定量描述了这些势垒幅度对偏置电流和温度的依赖关系。
引用
@article{arxiv.0806.4651,
title = {Charge-transport and tunneling in single-walled carbon nanotubes},
author = {M. Salvato and M. Cirillo and M. Lucci and S. Orlanducci and I. Ottaviani and M. L. Terranova and F. Toschi},
journal= {arXiv preprint arXiv:0806.4651},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 4 figures. Physical Review Letters (in press)