纳米器件输运性质：一维模型研究
介观与纳米尺度物理
2015-06-25 v3 强关联电子
摘要
通过比较多配置时域哈特福克方法和冻结核心计算，对纳米器件中的电荷输运进行了一维模型研究。确定了交换作用和库仑相关性对隧穿电流的影响。我们确定，隧穿势垒的形状和纳米器件的共振结构是决定电子输运的两个主要参数。虽然势垒形状决定了隧穿电流的大小，但共振结构决定了电流的结构。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0508589,
title = {Transport properties of nano-devices: One-dimensional model study},
author = {Zhongxi Zhang and C. F. Destefani and Chris McDonald and Thomas Brabec},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0508589},
year = {2015}
}
备注
4 pages