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一维纳米颗粒阵列输运中的电子关联与无序

介观与纳米尺度物理 2009-11-13 v1 强关联电子

摘要

我们分析并阐明了一维金属纳米颗粒阵列的输运性质,其中电荷相互作用仅限于置于同一导体内的电荷。我们研究了阈值电压、I-V 曲线以及穿过阵列的电势降,及其对包括电荷和电阻无序效应在内的阵列参数的依赖性。我们表明,在非常接近阈值时,电流与电压呈线性依赖关系,且斜率与阵列尺寸无关。在观察到库仑台阶的中等偏置电压下,我们发现穿过阵列的平均电势降随位置振荡。在更高电压下,I-V 曲线呈线性但具有有限的偏移电压。我们表明斜率由串联电阻之和的倒数给出,并估算了达到该线性体制的电压。我们还计算了偏移电压并将其与穿过阵列的电势降联系起来。

关键词

引用

@article{arxiv.0709.3718,
  title  = {Electronic correlations and disorder in transport through one-dimensional nanoparticle arrays},
  author = {E. Bascones and V. Estevez and J. A. Trinidad and A. H. MacDonald},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0709.3718},
  year   = {2009}
}

备注

16 pages and 8 postscript figures