金属和超导双结阵列中的电子与热序贯输运
介观与纳米尺度物理
2011-12-16 v2
摘要
对由隧道结阵列组成的器件中输运现象的描述，以及这些预测的实验证实，是介观物理学的巨大成功之一。本文旨在基于所谓的“正统”模型，对这些器件中的序贯输运过程进行自洽的综述。我们数值计算了对称和非对称双结阵列（如库仑阻塞温度计 (CBT)、超导体-绝缘体-正常金属-绝缘体-超导体 (SINIS) 结构和超导单电子晶体管 (SET)）的电流-电压 (I-V) 曲线、电导与偏压 (G-V) 曲线以及相关的热输运。我们研究了这些系统在奇点匹配偏置点处的行为、微制冷效应对岛充电能的依赖性，以及有限超导能隙对库仑阻塞测温的影响。
引用
@article{arxiv.1012.4771,
title = {Electronic and thermal sequential transport in metallic and superconducting two-junction arrays},
author = {T. Kuhn and G. S. Paraoanu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.4771},
year = {2011}
}
备注
23 pages, 12 figures; Berlin (ISBN: 978-3-642-12069-5)