四岛隧结阵列次级库仑阻塞间隙
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
在环形隧结阵列中包含四个岛屿的结构中，观察到在低偏压电压范围内的I-V特性中出现次级库仑阻塞间隙。我们将其出现的原因归因于该阵列独特的拓扑结构，该结构可使最多两个电子被捕获于内部。我们依据详细的单电子隧穿过程，对间隙的形成与消亡进行了分析。还研究了在热力学和量子涨落存在时的负阻电行为。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9811064,
title = {Secondary Coulomb Blockade Gap in a Four-Island Tunnel-Junction Array},
author = {Mincheol Shin and Seongjae Lee and Kyoung Wan Park and El-Hang Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9811064},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 8 figures, To appear in Phys. Rev. B