纳米颗粒阵列磁电阻的鲁棒性
介观与纳米尺度物理
2013-05-29 v1
摘要
近期研究发现，纳米颗粒阵列中自旋积累与库仑阻塞的相互作用会导致I-V曲线和隧穿磁电阻（TMR）曲线出现尖峰，并产生巨大的TMR值。我们分析了电极极化不对称性、阵列维度、温度、电阻或电荷无序以及长程相互作用对这些效应的影响。我们表明，TMR的大小和电压依赖性不随阵列维度或结电阻无序的存在而改变。电极中不同的极化会改变I-V和TMR曲线中的峰形，但不会改变其数量级。增加温度或相互作用长度会在一定程度上减小峰的尺寸，其中长程相互作用导致的减小在较长阵列中更小。为了观察到大的TMR值，应避免电荷无序。
引用
@article{arxiv.1012.3887,
title = {Robustness of the magnetoresistance of nanoparticle arrays},
author = {V. Estevez and E. Bascones},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.3887},
year = {2013}
}
备注
8 pages, 8 figures