嵌入纳米颗粒的磁性隧道结中的隧道磁电阻与温度相关效应
介观与纳米尺度物理
2016-03-28 v1
摘要
在嵌入纳米颗粒（NPs）的磁性隧道结（MTJs）中，在量子弹道模型范围内计算了隧道磁电阻（TMR）的温度依赖性。通过双势垒方法模拟了电子穿过NP的隧穿输运，该方法被整合到磁性点接触模型中。详细探讨了共振TMR条件和温度影响。此外，在近Kondo温度下的引线-隧穿胞-引线模型范围内讨论了温度诱导共振条件的可能原因。我们还发现电压降的重新分布在该模型中变得至关重要。此外，直接隧穿起主导作用，且在总隧穿厚度达5-6 nm的量子系统中不可忽略。因此，Coulomb阻塞模型无法解释纳米尺寸隧道结中的Kondo诱导TMR异常。
引用
@article{arxiv.1603.07791,
title = {Tunnel magnetoresistance and temperature related effects in magnetic tunnel junctions with embedded nanoparticles},
author = {Arthur Useinov and Chih-Huang Lai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.07791},
year = {2016}
}
备注
7 pages, 3 figures