纳米管器件间的串扰：接触与沟道效应
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1
摘要
在降低维度的情况下，库仑相互作用在决定器件性能方面起着至关重要的作用。虽然同一碳纳米管内的这种相互作用已被证明具有意想不到的性质，但器件集成和多纳米管器件需要考虑纳米管间的相互作用。我们给出了平面碳纳米管晶体管的特性计算结果，其中包括半导体纳米管之间以及半导体与金属纳米管之间的相互作用。结果表明，管间相互作用同时影响沟道行为和接触。对于长沟道器件，需要将间距控制在栅极氧化层厚度的量级，以消除纳米管间的效应。由于该长度尺度对介电常数呈指数依赖，使用高介电常数介质和嵌入式接触可以实现非常高的器件密度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0602006,
title = {Crosstalk between nanotube devices: contact and channel effects},
author = {Francois Leonard},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0602006},
year = {2009}
}