直形与弯曲纳米管的静电学
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v2
摘要
在经典静电学框架内，我们解析地计算了单壁碳纳米管对外电场 F 的响应。场致电荷密度分布在金属纳米管轴线上近似呈线性，并且对纳米管长度 h 的依赖相当弱，呈 ln(h/r) 的形式（此处 r 为纳米管半径）。对于带隙为 E_g 的半导体纳米管，当 F 超过阈值 F_{th}=E_g/eh 时发生电荷分离。对于 F>F_{th}，纳米管两端带正电和带负电的区域被中间的中性带隔开。对于弯曲纳米管，中性带的数量可以是一个或两个，具体取决于 F 的方向。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0507115,
title = {Electrostatics of straight and bent nanotubes},
author = {E. G. Mishchenko and M. E. Raikh},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0507115},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 3 figures; final version, minor changes