外电场中半导体纳米管平面阵列：集体屏蔽与极化率
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v2
摘要
我们理论研究了置于平行于其轴线的外电场F中的长度为2h的半导体纳米管（NTs）平面阵列中的电荷分离。通过共形映射，我们解析地得到了任意带隙E_g与跨NT电压降eFh比值下的诱导电荷密度的精确分布。我们利用所得结果来（i）追踪随着F增加NT中心中性带的变窄；（ii）分析阵列极化率作为E_g的函数；（iii）研究尖端附近的场增强。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0607295,
title = {Planar array of semiconducting nanotubes in external electric field: Collective screening and polarizability},
author = {T. A. Sedrakyan and E. G. Mishchenko and M. E. Raikh},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0607295},
year = {2007}
}
备注
9 pages, 5 figures, RevTex