悬臂半导体单壁碳纳米管的静电偏转
介观与纳米尺度物理
2018-10-26 v1 材料科学
摘要
碳纳米管在外电场中如何表现?电场强度与管的形变之间有何关系?几何结构对碳纳米管电场响应的影响是什么?为回答这些问题,我们开发了一种新的组合计算技术来研究电场诱导的碳纳米管形变。本工作中,我们发现悬臂半导体单壁碳纳米管的偏转角与电场强度的平方成正比,且当场角在45至60度范围内时管弯曲最大。此外,偏转角还被发现与长径比L/R成正比。我们的结果与先前一项实验研究在定性上吻合良好。
引用
@article{arxiv.1810.10684,
title = {Electrostatic deflections of cantilevered semiconducting single-walled carbon nanotubes},
author = {Z. Wang and M. Devel and R. Langlet and B. Dulmet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.10684},
year = {2018}
}
备注
13 pages, 7 figures