碳纳米管场效应晶体管的横向尺度效应
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v1 材料科学
摘要
我们制造了具有多个可单独寻址栅极段的碳纳米管 (CN) 场效应晶体管。器件在使用控制器件内部区域的栅极段与控制源漏区域的栅极段切换时表现出显著不同的晶体管特性。我们将这种差异归因于从接触处的肖克基势垒调制转换为体态开关。我们还发现，随着栅长变化，体部分的电流在任意栅电压下保持不变，这提供了关于即使在较小载流子速度下，半导体 CN 在至少几百纳米尺度上呈现球态传输的直接证据。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0306295,
title = {Lateral scaling in carbon nanotube field-effect transistors},
author = {S. J. Wind and J. Appenzeller and Ph. Avouris},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0306295},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures