碳纳米管晶体管接触中的肖特基至欧姆转变
介观与纳米尺度物理
2015-06-17 v1
摘要
对于碳纳米管晶体管，如同石墨烯一样，电接触是限制器件性能的关键因素。我们计算了器件特性随纳米管直径和金属功函数的变化关系。虽然开态电流连续变化，但转移特性揭示了从肖特基接触到欧姆接触相对 abrupt 的转变。我们发现，典型的高性能器件令人惊讶地接近这一转变点。出乎意料的是，即使在该机制下隧穿也起着重要作用，导致电流未能像因“源耗尽”而预期的那样随栅极电压饱和。
引用
@article{arxiv.1308.5986,
title = {Schottky-to-Ohmic Crossover in Carbon Nanotube Transistor Contacts},
author = {Vasili Perebeinos and Jerry Tersoff and Wilfried Haensch},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.5986},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 4 figures