碳纳米管异构结合处的肖克势垒
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v2
摘要
我们研究了金属与半导行为单壁碳纳米管异构结合处的电子性质。在一维纳米管系统中，长程库仑相互作用的无效屏蔽显著改变了电荷转移现象，与传统半导体异构结构不同。耗尽区的长度在从纳米管半径到纳米管长度之间呈宽广范围变化，严格取决于掺杂强度。肖克势垒导致了异构结合处I-V特性的非对称性，与 Yao 等人和 Fuhrer 等人的实验结果一致。动态电荷在结合处的积累导致在反向偏置下电流呈阶梯式增长。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9910137,
title = {Schottky barriers in carbon nanotube heterojunctions},
author = {Arkadi A. Odintsov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9910137},
year = {2009}
}
备注
new version, few small corrections are made 4 pages, 3 figures