肖特基势垒双壁碳纳米管场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2007-07-26 v2
摘要
我们研究了基于双壁碳纳米管（DWNT）的肖特基势垒场效应晶体管（FET）的电子输运性质，其中外壁为半导体性，内壁为金属性。这类DWNT-FET由于肖特基势垒的电子-空穴不对称性，表现出-特性和阈值电压的不对称性。金属性内壁的存在引入了大的有效带隙，比单壁碳纳米管FET中仅由半导体性外壳产生的带隙大一个数量级。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0703145,
title = {Schottky-barrier double-walled carbon nanotube field-effect transistors},
author = {Shidong Wang and Milena Grifoni},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0703145},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 3 figures. Published form