基于 SrTiO3/Si 衬底的高性能碳纳米管晶体管
介观与纳米尺度物理
2007-12-05 v1
摘要
通过化学气相沉积在高介电常数 /Si 衬底上生长出单壁碳纳米管 (SWNT)，并使用薄 作为栅介质和 Si 作为栅电极制造了高性能半导体 SWNT 场效应晶体管。器件的通道宽度比 transconductance 达到 8900 S/m。高 transconductance 不能仅通过增加栅极电容来解释；我们提出由于 的高介电常数导致了在纳米管-电极界面处的电场增强，从而降低或消除纳米管-电极间的肖特基势垒。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0401591,
title = {High-Performance Carbon Nanotube Transistors on SrTiO3/Si Substrates},
author = {B. M. Kim and T. Brintlinger and E. Cobas and Haimei Zheng and M. S. Fuhrer and Z. Yu and R. Droopad and J. Ramdani and K. Eisenbeiser},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0401591},
year = {2007}
}
备注
13 pages, 1 table, 3 figures, to appear in Appl. Phys. Lett