基于单壁碳纳米管的单电子晶体管可控制备
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v2
摘要
单电子晶体管（SETs）的制备方法是：将单壁碳纳米管（SWNTs）放置在 100 nm 宽的局部 Al/Al2O3 底栅上，然后与 Pd 电极接触。观测到高达 125 K 的库仑振荡，并从库仑菱形图中测得 12-15 meV 的充电能和约 5 meV 的能级间距，这与约 100 nm 的量子点尺寸一致，表明局部栅极通过在边缘弯曲 SWNT 来定义量子点尺寸并控制其工作。这种“机械模板”方法可能促进利用 SWNT 大规模制造 SET 器件。
引用
@article{arxiv.0804.0817,
title = {Controlled fabrication of single electron transistors from single-walled carbon nanotubes},
author = {Paul Stokes and Saiful I. Khondaker},
journal= {arXiv preprint arXiv:0804.0817},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 3 figures