无传统隧道阱的金属单电子晶体管
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
我们报告了一种新型单电子晶体管 (SET)，其包含两根阻值较大的 Cr 薄膜条（约 1 微米长），将 1 微米长的 Al 悬岛连接到两个 Al 外电极。这些电阻取代了传统 SET 中小面积氧化物隧道结的作用。我们制造的晶体管总渐近电阻为 110 kOhm，表现出非常锋利的库仑阻塞态和在宽范围的偏置电流 I 和栅极电压 V_g 下可重复、深且严格为 e 周期的栅极调制。对于库仑阻塞区内的条件（|V| < 0.5 mV），我们观察到强抑制的 cotunneling 电流，使得在电流 I 低至 100 fA 时仍可测量显著的调制曲线 V-V_g。我们测得的噪声系数与典型的 Al/AlOx/Ar single-electron晶体管相似。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0011427,
title = {Metallic single-electron transistor without traditional tunnel barriers},
author = {V. A. Krupenin and A. B. Zorin and D. E. Presnov and M. N. Savvateev and J. Niemeyer},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0011427},
year = {2009}
}
备注
5 pages incl. 4 figs