感应式 GaAs 单空穴晶体管的制备与表征
介观与纳米尺度物理
2015-05-18 v1
摘要
我们在非掺杂 AlGaAs-GaAs 异质结构中制备并表征了一个单空穴晶体管。我们的器件由一个 p 型量子点构成，通过电场而非调制掺杂来填充。低温输运测量揭示了由库仑阻塞引起的周期性电导振荡。我们发现，低频电荷噪声与调制掺杂 GaAs 单电子晶体管 (SET) 相当，并且比硅 SET 几乎好一个数量级。
引用
@article{arxiv.1002.2998,
title = {Fabrication and characterization of an induced GaAs single hole transistor},
author = {O. Klochan and J. C. H. Chen and A. P. Micolich and A. R. Hamilton and K. Muraki and Y. Hirayama},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.2998},
year = {2015}
}
备注
accepted for publication in Applied Physics Letters