未掺杂 AlGaAs/GaAs 电子量子点的制备
介观与纳米尺度物理
2015-05-28 v1
摘要
我们基于 AlGaAs/GaAs 异质结构制备了一个无任何调制掺杂的量子点单电子晶体管。从电子学角度来看，我们的器件非常稳定，具有清晰的库仑阻塞振荡，并且当器件被设置在库仑阻塞峰值的中点并保持在恒定栅压下时，电导漂移极小。偏压光谱测量显示，典型的库仑“钻石”不受任何显著的电荷涨落噪声的影响。我们还在器件中观察到了激发态输运。
关键词
引用
@article{arxiv.1106.5847,
title = {Fabrication of undoped AlGaAs/GaAs electron quantum dots},
author = {Andrew M. See and Oleh Klochan and Adam P. Micolich and Alex R. Hamilton and Martin. Aagesen and Poul Erik Lindelof},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.5847},
year = {2015}
}
备注
3 pages, 5 figures, ICONN2010 conference paper