具有未掺杂 Si/SiGe 晶圆的无电荷噪声横向量子点器件
介观与纳米尺度物理
2013-11-13 v1
摘要
我们利用未掺杂的 Si/SiGe 晶圆在单层 MOS 结构中开发了量子点。通过在表面栅极施加正偏压，电子在 Si 沟道中积累。测量到了清晰的库仑钻石图和双量子点电荷稳定性图。追踪了电流的时间涨落，并对其应用了傅里叶变换分析。噪声信号的功率谱与频率成反比，这与掺杂晶圆中制造的量子点已知的反二次方行为不同。我们的结果表明，掺杂晶圆的电荷噪声源与二维电子气 (2DEG) 掺杂剂有关。
引用
@article{arxiv.1311.2681,
title = {Charge-noise-free Lateral Quantum Dot Devices with Undoped Si/SiGe Wafer},
author = {T. Obata and K. Takeda and J. Kamioka and T. Kodera and W. M. Akhtar and K. Sawano and S. Oda and Y. Shiraki and S. Tarucha},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.2681},
year = {2013}
}
备注
Proceedings of the 12th Asia Pacific Physics Conference