Si/SiGe 量子点接触与量子点中低频噪声的特性与抑制
介观与纳米尺度物理
2013-04-02 v1
摘要
我们报道了全局顶栅极对调制掺杂 Si/SiGe 异质结构中肖特基栅极定义的量子点接触 (QPCs) 和量子点 (QDs) 低频噪声的影响。在相对较大的顶栅极电压下，QPC 电流表现出频繁的切换，伴随 1/f^2 洛伦兹型电荷噪声。随着顶栅极电压降低，QPC 的夹断电压负值变小，且 1/f^2 噪声在均匀的 1/f 噪声背景下被迅速抑制。我们将这种顶栅极技术应用于双量子点，以将电子数降至零时的电荷状态稳定下来。
引用
@article{arxiv.1304.0064,
title = {Characterization and Suppression of Low-frequency Noise in Si/SiGe Quantum Point Contacts and Quantum Dots},
author = {K. Takeda and T. Obata and Y. Fukuoka and W. M. Akhtar and J. Kamioka and T. Kodera and S. Oda and S. Tarucha},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.0064},
year = {2013}
}
备注
4 pages, 3 figures