受准静态电荷噪声影响的交换耦合量子点中的受控相位门
介观与纳米尺度物理
2023-12-21 v1 量子物理
摘要
电荷噪声一直是基于半导体的量子比特中实现高保真度双量子比特量子门的主要问题之一。在此，我们研究了量子点失谐中的准静态噪声对定义在双量子点上的自旋量子比特受控相位门的影响。推导了覆盖实验相关区域的弱噪声下的噪声平均哈密顿量、交换相互作用以及门保真度的解析表达式。我们还对受控相位门进行了交错双量子比特随机基准测试分析，并表明对于弱噪声，序列保真度的指数衰减仍然有效。
引用
@article{arxiv.2312.12892,
title = {Controlled phase gate in exchange coupled quantum dots affected by quasistatic charge noise},
author = {Yinan Fang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2312.12892},
year = {2023}
}
备注
8 pages, 6 figures