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提高电容耦合自旋量子比特的门保真度

介观与纳米尺度物理 2015-10-29 v2 量子物理

摘要

电容耦合的半导体自旋量子比特有望成为可扩展量子计算架构的构建模块,实现远距离量子比特之间的长程耦合。然而,迄今为止实验中实现的两量子比特门保真度受到电荷噪声和与核自旋的超精细相互作用引起的退相干的严重限制,目前对于任何可想象的多量子比特门操作来说都低得不可接受。在这里,我们提出了实现两量子比特纠缠门的控制协议,同时显著抑制了两种噪声引起的误差。这些协议是通过对实验室中已经使用的控制序列进行简单修改而获得的,因此应该足够容易立即实验实现。与现有的鲁棒单量子比特门控制协议一起,我们的结果构成了朝着使用半导体平台中的自旋量子比特实现可扩展量子计算的重要一步。

关键词

引用

@article{arxiv.1412.7756,
  title  = {Improving the gate fidelity of capacitively coupled spin qubits},
  author = {Xin Wang and Edwin Barnes and S. Das Sarma},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1412.7756},
  year   = {2015}
}

备注

9+ pages, 4 figures. To be published in npj Quantum Information