GaAs中双电子自旋量子比特的高保真单量子比特门
量子物理
2021-01-25 v2
摘要
GaAs双量子点中单重态-三重态量子比特的单量子比特操作尚未达到容错量子信息处理所需的保真度。考虑实验重要约束并使用测量的噪声谱，我们数值最小化退相干（包括高频1/f类噪声）的影响，并从理论上证明可实现保真度高于99.9%的量子门。我们还提出一种自洽调谐协议，该协议应允许在实验中直接消除单个系统门误差。
引用
@article{arxiv.1404.1712,
title = {High-Fidelity Single-Qubit Gates for Two-Electron Spin Qubits in GaAs},
author = {Pascal Cerfontaine and Tim Botzem and David P. DiVincenzo and Hendrik Bluhm},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.1712},
year = {2021}
}
备注
5 pages, 4 figures