量子点混合量子比特的高保真度交流门操作
介观与纳米尺度物理
2016-03-23 v5 量子物理
摘要
硅中的半导体量子点因其长自旋相干时间和可扩展潜力而成为有前景的量子比特。然而，具有完全电控制且保真度超过量子纠错阈值的此类量子比特尚未实现。我们从理论上证明，通过量子点混合量子比特的交流门操作可以达到阈值保真度。该量子比特由双量子点中的三个电子构成，采用电控制，无需磁场，并以 GHz 门速度运行。我们分析了该量子比特中由 1/f 电荷噪声引起的退相干，找到了使量子比特频率对电荷噪声依赖性最小的隧穿耦合和失谐参数范围，并确定了驱动失谐和隧穿耦合的交流门操作的最佳工作点。
引用
@article{arxiv.1507.04286,
title = {High fidelity ac gate operations of the quantum dot hybrid qubit},
author = {Clement H. Wong},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.04286},
year = {2016}
}