电荷噪声对脉冲门控单重态-三重态 $S-T_-$ 量子比特的影响
介观与纳米尺度物理
2017-09-14 v3 量子物理
摘要
我们研究脉冲门控半导体双量子点量子比特的动力学。在我们的实验中，量子比特相干时间相对较长，但量子振荡的可见度较低。我们表明这些观察结果与一种理论一致，该理论包含了由电荷噪声引起的退相干，电荷噪声导致双量子点的失谐涨落。由于电荷噪声的影响在单重态-三重态避免能级交叉附近最大，当单重态-三重态避免能级交叉发生在操控期间穿过的电荷简并点附近时，振荡的可见度较低，但在量子相位累积的大失谐值处仅有轻微的去相位。该理论与实验数据吻合良好，并预测通过适当调节点间隧穿率可以大大提高可见度。
引用
@article{arxiv.1701.06971,
title = {Effects of charge noise on a pulse-gated singlet-triplet $S-T_-$ qubit},
author = {Zhenyi Qi and X. Wu and D. R. Ward and J. R. Prance and Dohun Kim and John King Gamble and R. T. Mohr and Zhan Shi and D. E. Savage and M. G. Lagally and M. A. Eriksson and Mark Friesen and S. N. Coppersmith and M. G. Vavilov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.06971},
year = {2017}
}