电荷噪声导致的耦合翻转-翻转量子比特退相干

我们研究了电荷噪声对单个翻转-翻转量子比特以及两个偶极耦合量子比特的退相干效应。我们发现单个翻转-翻转量子比特在其甜点处对电荷噪声具有高度抗性。然而，由于电荷激发态与翻转-翻转逻辑态的接近，电荷噪声的存在极大地降低了双量子比特操作的保真度。我们确定来自量子比特希尔伯特空间的泄漏是门保真度降低的主要原因。我们还探索了不同的偏置条件以缓解这一退相干通道。