晶相定义双量子点电荷量子比特与高阻抗谐振腔强耦合中的退相干
介观与纳米尺度物理
2024-12-19 v1
摘要
电荷量子比特的退相干通常归因于环境中的电荷噪声。在此我们表明，电荷噪声可能并非量子比特相干性的限制因素。为此，我们利用射频（RF）反射测量研究了与高阻抗谐振腔强耦合的晶相定义半导体纳米线双量子点（DQD）电荷量子比特的相干特性。该混合系统的响应在电荷噪声敏感的操控点（具有有限 DQD 失谐）以及不敏感点（所谓零失谐的甜点）均被测量。基于 Jaynes-Cummings 哈密顿量的理论模型与实验结果吻合良好，并且尽管对失谐电荷噪声的灵敏度相差 5 倍，两种情形下的退相干率仅相差 10%。因此，电荷噪声并非此类半导体纳米线量子比特相干性的限制因素。
引用
@article{arxiv.2308.14887,
title = {Dephasing in a crystal-phase defined double quantum dot charge qubit strongly coupled to a high-impedance resonator},
author = {Antti Ranni and Subhomoy Haldar and Harald Havir and Sebastian Lehmann and Pasquale Scarlino and Andreas Baumgartner and Christian Schönenberger and Claes Thelander and Kimberly A. Dick and Patrick P. Potts and Ville F. Maisi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2308.14887},
year = {2024}
}
备注
7 pages, 3 figures