耦合至声学声子库半导体电荷量子比特的退相干率
量子物理
2007-05-23 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们分析了双量子点中电子由于与声学声子相互作用而产生的退相干。对于量子点间较大的隧穿率，退相干的主要贡献来自声子发射弛豫过程；而对于较小的隧穿率，虚声子退相位过程占主导。我们的结果表明，在 Si 和 GaAs 等常见半导体中，后一种机制决定了双量子点电荷量子比特性能度量的上限。
引用
@article{arxiv.quant-ph/0309024,
title = {Decoherence Rate of Semiconductor Charge Qubit Coupled to Acoustic Phonon Reservoir},
author = {L. Fedichkin and A. Fedorov},
journal= {arXiv preprint arXiv:quant-ph/0309024},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 2 figures, typos corrected, fig. 2 replaced by the improved version