改善多量子点电荷量子比特的内禀退相干
介观与纳米尺度物理
2009-08-12 v2 量子物理
摘要
我们在自旋 - 玻色子模型和 Born-Markov 近似框架下，讨论了由多个横向量子点形成的电荷量子比特的退相干问题。我们考虑了由耦合到体声子模式引起的内禀退相干。研究了两种不同的量子点构型：(i) 环状几何结构中的三个量子点，总共含有一个过剩电子；以及 (ii) 计算基态形成多极电荷构型的量子点阵列。对于三点量子比特，我们证明了仅通过调节栅极电压即可执行单量子比特和双量子比特操作。与 DiVincenzo 等人提出的线性三点自旋量子比特方案相比，三点电荷量子比特在双量子比特操作上所需的开销更少。对于较小的点间隧穿振幅，三点量子比特的因子远高于双点系统。与双点量子比特相比，高多极点构型在低工作频率下也显示出退相干的显著降低。
引用
@article{arxiv.0705.3923,
title = {Improving Intrinsic Decoherence in Multi-Quantum-Dot Charge Qubits},
author = {Martina Hentschel and Diego C. B. Valente and Eduardo R. Mucciolo and Harold U. Baranger},
journal= {arXiv preprint arXiv:0705.3923},
year = {2009}
}
评论
11 pages, 6 figures, submitted to Phys. Rev. B