栅极定义双量子点中邻近电荷涨落器导致的自旋量子比特退相干
介观与纳米尺度物理
2015-05-14 v1
摘要
理论上研究了邻近二能级电荷涨落器对双点双自旋量子比特的影响。假设电荷涨落器与量子比特量子点之间没有直接隧穿,在Hund-Mulliken框架内,将量子比特轨道态与涨落器之间的库仑耦合计算到多极展开中的四极-四极阶。我们识别并量化了使量子比特与涨落器纠缠的耦合项,并分析了由涨落器向其库衰减导致的量子比特退相干效应。我们的结果表明,电荷环境会严重影响自旋量子比特的性能,并指出了使该退相干通道最小化的工作点。我们的分析还表明,辅助双量子点可以为单量子比特操作和空闲位置提供一个便利的点,为双自旋量子比特的量子控制增加了灵活性。
引用
@article{arxiv.0909.4116,
title = {Decoherence of spin qubits due to a nearby charge fluctuator in gate-defined double dots},
author = {Guy Ramon and Xuedong Hu},
journal= {arXiv preprint arXiv:0909.4116},
year = {2015}
}
备注
19 pages, 9 figures