硅中相干传输期间自旋量子比特退相干的控制

基于自旋的量子计算系统实现可扩展性的关键路径之一在于实现电子间的长距离相互作用并增加其互连性。相干自旋传输是实现此架构优势的最具前景策略之一。实验结果此前已展示硅中自旋量子比特在两个量子点间的高保真传输，并识别出可能的误差来源。在本理论研究中，我们探究这些误差并分析隧穿耦合、磁场与自旋轨道效应对自旋转移过程的影响。这些效应间的相互作用产生了双量子点构型，其中包含增强退相干的区间，在量子信息处理中应避免。这些结论使我们能够外推先前的实验结论，并为大规模量子处理器的未来设计提供合理化依据。